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随着美国发起的关税战，贸易战进入新阶段，加快了半导体的国产替代步伐，相比于NXP和MACOM这些美资背景的品牌，Ampleon是无锡国资委全资控股，其特有的国资背景，使得其不易被关税和贸易战影响。
Ampleon集团为全球领先的射频功率芯片供应商，专业研发、设计、生产和销售高功率射频功率芯片产品，其产品主要应用于移动通讯（基站）领域，并在航天、照明、能量传输等领域存在广泛用途，其生产的LDMOS和GaN射频功率芯片产品主要供应各大通讯基站设备制造商。
Ampleon推出高集成度的第5代GaN功率晶体管
C5H3438N110D是Ampleon公司的第五代GaN功率晶体管，一经推出，其优异的性能和内部匹配电路，迅速吸引了射频工程师的目光。
其主要优势：
紧凑的8mm*8mm QFN封装
高效率的Doherty特性
频率从3400-3800MHz宽覆盖
高集成的内匹配使得其外部匹配电路更简单易于使用
非常适合于5G mMIMO应用
我们从C5H3438N110D的Datasheet上可以看到其指标参数如图1所示，其标称的峰值功率（P3dB）有50.8dBm，输出42.3dBm的时候，漏极电流效率高达55.1%。
图1 C5H3438N110D指标参数
为了验证其性能，DXY鼎芯按厂家推荐电路，复制了Demo，如下图2所示，从Demo上可见，其拓扑电路紧凑，输入、输出的外围匹配电路简洁，非常适合工程应用。
图2 DXY 鼎芯开发的C5H3438N110D demo
在给定的偏置条件下：
（Vds=48V，Vgsm=-2.47V，Idqm=70mA，Vgsp=-4.47V） |
Demo主要指标性能如下表1所示，除了因为Vds是48V供电导致P3dB略低外，我们的Demo测试数据和其Datasheet数据非常接近。
表1 Demo测试主要指标参数
为了能更好的激发出C5H3438N110D优异性能，厂家也给它推荐了C5H2350N10作为其驱动级，C5H2350N10采用同样非常紧凑的4.5mm*4.0mm的DFN封装，整个射频链路简单，适合大批量生产。
DXY鼎芯作为Ampleon公司的IDH，拥有专业的射频开发团队，完整的仪器设备，先行开发了Demo，验证了器件的性能，不但可以为研发工程师的选型提供重要参考，缩短研发开发周期，同时还可以为其后期具体应用中出现的问题提供全方位的技术支持。选择DXY 鼎芯，助力您的开发之旅。
